快科技6月27日消息，鎧俠最近公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。

自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。

在3D NAND閃存技術(shù)的競賽中，鎧俠展現(xiàn)出了對層數(shù)挑戰(zhàn)的堅定決心，其目標似乎比三星更為激進。三星雖也計劃在2030年之前推出超過1000層的先進NAND閃存芯片，并計劃引入新型鐵電材料來實現(xiàn)這一目標，但鎧俠卻更早地設定了具體的實現(xiàn)時間表。

去年，鎧俠推出了BiCS8 3D NAND閃存，其層數(shù)高達218層，采用1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）技術(shù)，并通過創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，成功將位密度提高了50%以上。

若要實現(xiàn)2027年1000層堆疊的宏偉目標，鎧俠可能會進一步探索五層單元（PLC）技術(shù)的應用。

值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非僅僅意味著增加層數(shù)，更涉及到制造過程中可能遇到的一系列新問題和技術(shù)挑戰(zhàn)。