快科技2月8日消息，Intel已于日前接受了ASML的第一臺(tái)新一代高NA EUV光刻機(jī)，但是臺(tái)積電一直不為所動(dòng)，可能要到1nm工藝時(shí)代才會(huì)跟進(jìn)。

Intel計(jì)劃將高NA EUV光刻機(jī)用于Intel 18A后的制程節(jié)點(diǎn)，也就是超過(guò)1.8nm，時(shí)間大概在2026-2027年。

Intel此前公布的路線圖上，18A之后已經(jīng)安排了三個(gè)新的制程節(jié)點(diǎn)，但尚未具體命名。

基辛格透露其中一個(gè)相當(dāng)于1.5nm工藝，預(yù)計(jì)命名為15A，將在德國(guó)工廠量產(chǎn)。

臺(tái)積電對(duì)于高NA EUV光刻機(jī)引入計(jì)劃則一直守口如瓶，有多個(gè)消息來(lái)源稱臺(tái)積電還在觀望評(píng)估，目前計(jì)劃要等到1nm工藝節(jié)點(diǎn)才會(huì)上馬，而時(shí)間要等到2030年左右了。

臺(tái)積電目前正在沖刺2nm工藝，預(yù)計(jì)2025-2027年間量產(chǎn)，單芯片可集成超過(guò)1000億個(gè)晶體管，單個(gè)封裝可超5000億個(gè)。

然后是1.4nm、1nm，其中后者計(jì)劃2030年左右量產(chǎn)，將在單顆芯片內(nèi)集成超過(guò)2000億個(gè)晶體管，單個(gè)封裝內(nèi)則超過(guò)1萬(wàn)億個(gè)，相比N2工藝翻一倍。

有趣的是，Intel也計(jì)劃在2030年做到單個(gè)封裝1萬(wàn)億個(gè)晶體管，可謂針鋒相對(duì)。