快科技6月20日消息，作為國內專利數最多的公司之一，華為近年來也獲得了大量半導體技術上的專利，日前華為又拿下了一種制備晶體管的專利，可以降低工藝成本。

這個專利公開號為CN116266536A，涉及的專利名稱為“晶體管的制備方法和晶體管”，用于制備芯片基礎單元晶體管的。

專利摘要顯示，本申請晶體管的制備方法，利用在蝕刻層間介質層進行開設槽型孔的過程中一并蝕刻去除所述虛擬柵極，并利用槽型孔形成金屬柵極。

相比現有高介電常數金屬柵極制備工藝，可節省工藝步驟，降低工藝成本。

具體方法包括提供半導體襯底；在半導體襯底上依次層疊形成氧化物介質層、高K介質層、虛擬柵極；在半導體襯底中開設凹槽，并在凹槽中形成源極和漏極；

形成覆蓋半導體襯底和虛擬柵極的層間介質層；在層間介質層中形成分別對準源極和漏極的通孔和對準虛擬柵極的槽型孔，在形成槽型孔的過程中去除虛擬柵極；

在槽型孔和通孔中形成導電金屬材料。本申請還提供應用該方法制得的晶體管。